串联逆变器的多种保护形式

    （一）在中频炉中的直通保护

  在中频炉中的逆变器中发生以下任何一种故障时，都称为直通。

    (1)可控硅SCR1及SCR3同时导通，

    (2)可控硅SCR2及SCR4同时导通，

    (3)可控硅SCR1、SCR2．SCR3及SCR4同时导通，

    (4)可控硅SCR5（见图8- 18）误导通。

    以上几种情况中的任何一种都导致逆变工作失败，特别是前面两种直通，将导致很大

的直通电流通过逆变器的可控硅，面可能使逆变可控硅损坏。造成逆变器直通的原因是多

方面的，例如；

    (1)因触发延迟时间t过小，而使可控硅误导通。

    (2)由于可控硅di／dt过大或其他某种原因引起结温过高，而使可控硅的关断时间

增长，或使其耐du/dt的能力下降，造成可控硅误导通。

    (3)电路中由于某种原因，du/dt过大面使可控硅误导通。

    (4)由于受到外来信号的干扰，面使可控硅误导通。

    (5)控制回路工作不正常，面使可控硅误导通。  ，

    串联中频炉的串联逆变器整流部分一般采用不可控整流，所以当发生直通故障时，它不能象并联逆变器那样，立即将整流桥拉A逆变工作状态来实现对电路的保护，而必须有专门的直通保护装置，这是串联逆变器的一个缺点。

    串联中频炉的串联逆变器直通保护的方案有多种，但其目的都是为了在发生直通故障时，将通过逆变器可控硅的电流值限制在可控硅的允许范围内，并使其迅速关断，面不致受损。图8 18就是其中的一种，它的工作过程是这样的：

    当发生直通故障时，直通检侧装置发出直通故障信号，这信号立即去同时触发可控硅SCR1～SCR5，使直通电流分成i1. i2、i3，如图8-18所示，各支路的电流按各支路的电感值分配，这样就减少了通过直通可控硅的电流值及di/dt值，封锁所有可控硅的触发脉冲。可控硅SCR5的电流容量比SCR1～SCR4要大，当SCR5导通后，使电路中的大部分故障电流流向SCR5这一支路，从面减少了通过逆变可控硅的直通电流。另外，当发生直通后，电抗器Ld上产生的反电势反抗电流的增长，这时电路中各点的电位如图8-18所示。由于SCR5导通，使B点电位等于D点电位，电感BC段反电势使D点电位高C

点电位。于是逆变桥的可控硅承受反向电压而迅速关断并恢复正向阻断能力。紧接着，直通故障保护将交流侧电源断路器分闸。

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